EN
首页
产品中心
RISC-V CPU IP
Nuclei SoC IP
定制SoC子系统
垂直子系统方案
HSM子系统
车规子系统
AI子系统
WiFi子系统
新闻中心
公司资讯
产品文章
技术中心
开发板
芯片开发板
FPGA开发板
调试器
文档与工具
工具下载
文档中心
关于我们
公司介绍
招贤纳士
联系我们
RVMCU社区
大学计划
用户中心
登录
|
注册
EN
首页
产品中心
RISC-V CPU IP
Nuclei SoC IP
定制SoC子系统
垂直子系统方案
HSM子系统
车规子系统
AI子系统
WiFi子系统
新闻中心
公司资讯
产品文章
技术中心
开发板
芯片开发板
FPGA开发板
调试器
文档与工具
工具下载
文档中心
关于我们
公司介绍
招贤纳士
联系我们
RVMCU社区
大学计划
登录
注册
GMC
核心功能
外部存储控制器(GMC)包括以下两个存储控制器:NOR Flash/PSRAM存储控制器,同步DRAM (SDRAM)控制器。
连接外部静态存储器,NOR Flash/PSRAM( 4个存储区域)
连接同步 DRAM (SDRAM) 存储器
支持突发模式,能够更快速地访问同步器件(如 NOR Flash、 PSRAM 和 SDRAM)
可编程连续时钟输出以支持异步和同步访问
具有 8 位、 16 位或 32 位宽的数据总线
每个存储区域有独立的片选控制
每个存储区域可独立配置
写使能和字节通道选择输出,可配合 PSRAM、 SRAM 和 SDRAM 器件使用
16 x 32 位深度写 FIFO
写 FIFO 由所有存储控制器所共用,包括:
写数据 FIFO,用于储存将写入存储器的数据
写地址 FIFO,用于存储地址(最多 28 位)以及数据大小(最多 2 位)。在突发
SDRAM 控制器具有可缓存的 6 x 64 位深度读 FIFO( 6 x 14 位地址标记)
联系我们